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High extinction ratio and broadband silicon TE-pass polarizer using subwavelength grating index engineering

机译:使用亚波长光栅折射率工程的高消光比和宽带硅TE透过偏振器

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摘要

We propose and experimentally demonstrate a novel approach to implement a low loss, broadband and compact transverse electric (TE)-pass polarizer on a silicon-on-insulator (SOI) platform. The TE-polarizer utilizes a subwavelength grating (SWG) structure to engineer the waveguide equivalent material index. In this work, the SWG-based polarizer only supports its fundamental TE mode while the transverse magnetic (TM) mode is suppressed under the cut-off condition, i.e., the TM mode leaks from the waveguide with a low reflection. The simulations predict that the bandwidth to achieve a polarization extinction ratio (ER) of 35 dB exceeds 200 nm. Experimentally, the measured polarization ER is ~30 dB and the average insertion loss is 0.4 dB, in the wavelength range 1470 nm - 1580 nm. The fabricated TE-polarizer has a compact length of 60 \u3bcm.
机译:我们提出并通过实验证明了一种新颖的方法,可在绝缘体上硅(SOI)平台上实现低损耗,宽带和紧凑型横向电(TE)传递偏振器。 TE偏振器利用亚波长光栅(SWG)结构来设计波导等效材料折射率。在这项工作中,基于SWG的偏振器仅支持其基本TE模式,而在截止条件下抑制了横向磁(TM)模式,即TM模式以低反射率从波导泄漏。仿真预测,实现35 dB的偏振消光比(ER)的带宽超过200 nm。实验上,在1470 nm至1580 nm的波长范围内,测得的偏振ER为〜30 dB,平均插入损耗为0.4 dB。制成的TE偏振片的紧凑长度为60立方厘米。

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